ICバーナーの専門メーカーであるShenzhenAngke Technology Co.、Ltd。は、ユニバーサルフラッシュストレージ（UFS）専用のエンジニアリングバーナーと大量生産バーナー、および自動燃焼装置を発売しました。 新しく発売された新世代のバーナーは、UFSシステムの設計とアプリケーションを統合しており、R＆D、製品検証、および工場の小ロットおよび大量生産の要件に適しています。

          2018年1月、UFS3.0が正式にリリースされました。 UFS 2.0および2.1の反復アップグレード製品として、UFS3.0はパフォーマンスの非常に重要な改善と進歩をもたらしました。 ただし、このフラッシュメモリは正式に市販されていないため、実際のパフォーマンスを知る方法はありません。

数日前、Androbenchが1TB UFS3.0フラッシュメモリのテストレコードを読み書きするスクリーンショットがインターネット上に公開されました。

この記録から、UFS3.0のシーケンシャル読み取り速度が2279.8MB / sに達し、シーケンシャル書き込み速度が1801.1MB / sに達したことがはっきりとわかります。 UFS2.1の現在の700-800MB / sの順次読み取り速度によると、基本的に2〜3倍です。

ただし、UFS3.0の4Kの読み取りと書き込みの結果は既存のUFS2.1とそれほど変わらず、最適化の余地があります。

前回の紹介によると、UFS（Universal Flash Storage）3.0は、高性能と低消費電力に重点を置いており、最大23.2Gbpsのシングルチャネル帯域幅を備えたMIPI M-PHYHS-Gear4規格を導入した最初のフラッシュメモリです。これはUFS2.0 /2.1です。 2回。

さらに、UFS 3.0はより多くのパーティションをサポートし、エラーを修正する機能をアップグレードし、電圧は2.5Vに達し、最新のNANGフラッシュメディアをサポートします。

2019年の主流のフラッグシップチップはすべてUFS3.0をサポートしており、Qualcomm Snapdragon855とSamsungExynos9820はこの新しいフラッシュメモリ仕様と互換性があることが確認されています。 サムスンはまた、今年の前半にUFS3.0フラッシュメモリを搭載したモデルを発売する予定であると述べています。 現在、Samsung Galaxy S10シリーズには、UFS 3.0仕様のフラッシュメモリを使用する製品が必要であると推測されています。これは、最高装備のS10 + 5Gバージョンである可能性があります。

以前、台湾のメーカーであるPhisonは、UFSフラッシュメモリの開発プロセスを発表していました。 PhisonのUFS2.1は、スループットが800MB / sと1333MB / sの2世代の製品に分かれており、最新のUFS3.0のスループットは2666MB / sで、基本的にUFS2.1の2倍になっています。

UFS 3.0製品の発売には時間がかかるようですが、実際の性能は既存のUFS2.1製品を大幅に上回っているはずです。