チップ焼付業界のリーダーであるエンコーテクノロジーはこのほど、最新の焼付ソフトウェアの更新と追加サポートされたチップモデルのリストを発表した。TimesintelliのAT 1000シリーズRISC-V命令アーキテクチャに基づくエンドサイドインテリジェントコンピューティングシリーズチップAT 1611の焼付は、エンコーの汎用焼付器
深圳市昂科技术有限公司（股票代码：873207），专业的 IC 烧录器制造商，推出了 Universal Flash Storage (UFS) 专用的工程型与量产型烧录器，以及自动化烧录设备。新推出的新一代烧录器整合了 UFS 系统设计与应用，适用于研发、产品验证及工厂小批量和大批量生产需求。低功耗、高性能的可靠存储UFS 是一种专为需要最低功耗
深圳市昂科技术有限公司，专业的 IC 烧录器制造商，推出了 Universal Flash Storage (UFS) 专用的工程型与量产型烧录器，以及自动化烧录设备。新推出的新一代烧录器整合了 UFS 系统设计与应用，适用于研发、产品验证及工厂小批量和大批量生产需求。&nbs
快闪存储器（英语：Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。与硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性
非易失性存储元件有很多种，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前两者已经基本被淘汰了，因此我仅关注后两者，本文对FLASH的基本存储单元结构、写操作、擦除操作和读操作的技术进行了简单介绍，对了NOR和NAND由存储结构决定的特性和应用场合的差异，对后续的硬件设计和驱动编程起到铺垫作用。1 FLASH基本存储单元---
这个时候发这篇文章难免有蹭热点的嫌疑。但作为一个计算机体系结构的研究生，在这些名词满天飞的时候，我的好奇心是抑制不住的，想一探这几样技术的究竟。本文不对某一特定事件进行点评，仅从技术角度分析对比一下这三种技术。就算是当做自己的技术储备+科普了。首先，这三种技术都是属于闪存（Flash Memory）的不同种类，区
NandFlash存储器由多个Block组成，每一个Block又由多个Page组成，Page的大小一般为2K+64Bytes或512+16Bytes。Page是读取和编程的基本单位，而擦除的基本单位是Block。图1 NAND Flash的存储结果NAND Flash的页，包含主区（Main Area）和备用区（Spare Area）两个域，“主区”中有512*8（或256*16）或2048*8（或1024*16）个位
剖析NAND Flash的编程结构上一篇文章我们介绍了NAND Flash和NOR Flash的区别，从结构及原理上看，NOR Flash这种类似ROM的结构方式，使得他编程简单，所以使用的工程师也很多，要不是成本太高，NAND Flash根本无法生存。NAND Flash由于价格低廉，存储容量大，越来越受到消费者的喜爱，特别是需要存储大量数据的消费者。那NAN
1.0出现图示内容请进行以下操作1.1. 高级启动:(1).高级启动电脑: 开始设置更新和安全恢复高级启动立即启动.(2).选择“疑难解答”->选择“高级选项”->选择启动设置，点击重启按钮(这时电脑重新启动)->按数字键7（表示禁用驱动程序强制签名）详细截图及说明如下:1.1.1. 开
安装USB驱动步骤：1.通过USB连接编程器到PC2. 打开编程器电源，并等待编程器启动完成即编程器绿灯亮。3.选择“从列表或指定位置安装”，点“下一步”。4. 选择“在搜索中包括这个位置”，点“下一步” 。5. 按“浏览”指定驱动所在位置为软件安装目录中的driver子目录。6. 点击“下一步”完成安装。如果未能出现
出现图示内容请进行以下操作运行Aprog.exe时出现如下图的问题时，请到www.acroview.com 下载中心下载VCRuntime，安装VC运行环境之后再重新运行Aprog.exe即可。如果有任何疑问，请联系我们地址：深圳市南山区高新中区麻雀岭工业区M-7栋中钢大厦西三楼邮编：518057电话：+86 075526971006服务热线：13751075276销
默认安装路径：C:ACROVIEW
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